半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
4期
340-343
,共4页
杨红伟%黄科%陈宏泰%彭海涛%王媛媛%徐会武
楊紅偉%黃科%陳宏泰%彭海濤%王媛媛%徐會武
양홍위%황과%진굉태%팽해도%왕원원%서회무
应变量子阱%大光腔结构%微通道热沉%激光器叠层阵列%电光功率转换效率%串联电阻
應變量子阱%大光腔結構%微通道熱沉%激光器疊層陣列%電光功率轉換效率%串聯電阻
응변양자정%대광강결구%미통도열침%격광기첩층진렬%전광공솔전환효솔%천련전조
采用低压MOCVD外延技术生长的GaInAs/AlGaAs应变量子阱大光腔结构材料结构设计,利用低压MOCVD外延技术生长了3英寸(75mm)激光器外延片,进而设计制作了976nm大功率低热阻连续激光器芯片.采用以及高热导率的无氧铜材料设计制作了大功率微通道热沉,采用In焊料芯片倒装烧结工艺,制作了976nm连续激光器阵列单条.在20℃水冷条件下,输入电流120A,工作电压1.51V,输出功率达到118W,电光功率转换效率约65%.将10只微通道阵列单条堆叠组装,制作了连续1000W微通道叠层阵列.在20℃水冷条件下,输入电流120A,输出功率达到1130W,工作电压1.45V,电光功率转换效率约65%.
採用低壓MOCVD外延技術生長的GaInAs/AlGaAs應變量子阱大光腔結構材料結構設計,利用低壓MOCVD外延技術生長瞭3英吋(75mm)激光器外延片,進而設計製作瞭976nm大功率低熱阻連續激光器芯片.採用以及高熱導率的無氧銅材料設計製作瞭大功率微通道熱沉,採用In銲料芯片倒裝燒結工藝,製作瞭976nm連續激光器陣列單條.在20℃水冷條件下,輸入電流120A,工作電壓1.51V,輸齣功率達到118W,電光功率轉換效率約65%.將10隻微通道陣列單條堆疊組裝,製作瞭連續1000W微通道疊層陣列.在20℃水冷條件下,輸入電流120A,輸齣功率達到1130W,工作電壓1.45V,電光功率轉換效率約65%.
채용저압MOCVD외연기술생장적GaInAs/AlGaAs응변양자정대광강결구재료결구설계,이용저압MOCVD외연기술생장료3영촌(75mm)격광기외연편,진이설계제작료976nm대공솔저열조련속격광기심편.채용이급고열도솔적무양동재료설계제작료대공솔미통도열침,채용In한료심편도장소결공예,제작료976nm련속격광기진렬단조.재20℃수랭조건하,수입전류120A,공작전압1.51V,수출공솔체도118W,전광공솔전환효솔약65%.장10지미통도진렬단조퇴첩조장,제작료련속1000W미통도첩층진렬.재20℃수랭조건하,수입전류120A,수출공솔체도1130W,공작전압1.45V,전광공솔전환효솔약65%.
