电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2012年
4期
375-378
,共4页
王磊%彭斌%蒋洪川%王渊朝%李凌%张万里
王磊%彭斌%蔣洪川%王淵朝%李凌%張萬裏
왕뢰%팽빈%장홍천%왕연조%리릉%장만리
微波无源器件%薄膜匹配负载%宽带匹配%Ka波段%TaN薄膜
微波無源器件%薄膜匹配負載%寬帶匹配%Ka波段%TaN薄膜
미파무원기건%박막필배부재%관대필배%Ka파단%TaN박막
基于实频法思想设计了Ka波段薄膜匹配负载的宽带匹配网络,并利用ADS和HFSS软件进行了仿真和优化.仿真结果表明,在32 GHz～40 GHz频率范围内,所设计匹配负载的电压驻波比均小于1.2.利用丝网印刷以及直流磁控溅射工艺制备了所设计的薄膜匹配负载.测试结果表明,所制备的TaN薄膜匹配负载在30.3 GHz ～ 37.4 GHz频率范围内,其电压驻波比均小于1.3.
基于實頻法思想設計瞭Ka波段薄膜匹配負載的寬帶匹配網絡,併利用ADS和HFSS軟件進行瞭倣真和優化.倣真結果錶明,在32 GHz～40 GHz頻率範圍內,所設計匹配負載的電壓駐波比均小于1.2.利用絲網印刷以及直流磁控濺射工藝製備瞭所設計的薄膜匹配負載.測試結果錶明,所製備的TaN薄膜匹配負載在30.3 GHz ～ 37.4 GHz頻率範圍內,其電壓駐波比均小于1.3.
기우실빈법사상설계료Ka파단박막필배부재적관대필배망락,병이용ADS화HFSS연건진행료방진화우화.방진결과표명,재32 GHz～40 GHz빈솔범위내,소설계필배부재적전압주파비균소우1.2.이용사망인쇄이급직류자공천사공예제비료소설계적박막필배부재.측시결과표명,소제비적TaN박막필배부재재30.3 GHz ～ 37.4 GHz빈솔범위내,기전압주파비균소우1.3.
