半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2003年
2期
113-116
,共4页
潘晴%胡必春%李林%杨四刚%黄德修
潘晴%鬍必春%李林%楊四剛%黃德脩
반청%호필춘%리림%양사강%황덕수
半导体激光器%波长锁定%F-P窄带滤光片
半導體激光器%波長鎖定%F-P窄帶濾光片
반도체격광기%파장쇄정%F-P착대려광편
对半导体激光器波长(频率)漂移的检测原理进行了分析,用计算机仿真分析出波长锁定的最佳区域.通过对波长漂移检测灵敏区域的界定和捕捉范围的选择,确定鉴频F-P窄带滤光片的参数,提出波长锁定器光路优化的方法.
對半導體激光器波長(頻率)漂移的檢測原理進行瞭分析,用計算機倣真分析齣波長鎖定的最佳區域.通過對波長漂移檢測靈敏區域的界定和捕捉範圍的選擇,確定鑒頻F-P窄帶濾光片的參數,提齣波長鎖定器光路優化的方法.
대반도체격광기파장(빈솔)표이적검측원리진행료분석,용계산궤방진분석출파장쇄정적최가구역.통과대파장표이검측령민구역적계정화포착범위적선택,학정감빈F-P착대려광편적삼수,제출파장쇄정기광로우화적방법.
