功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2004年
3期
323-326
,共4页
邢玉梅%俞跃辉%林梓鑫%宋朝瑞%杨文伟
邢玉梅%俞躍輝%林梓鑫%宋朝瑞%楊文偉
형옥매%유약휘%림재흠%송조서%양문위
碳化硅%离子束合成%埋层
碳化硅%離子束閤成%埋層
탄화규%리자속합성%매층
采用离子束合成法,将p型(100)单晶硅衬底加热并保持在700℃的条件下分别进行剂量为8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+注入,随后在氩气保护下经1250℃退火5h后形成β-SiC埋层.借助红外反射光谱、卢瑟福背散射能谱以及高分辨透射电镜等测试手段,对退火前后碳化硅埋层的组分及结构进行了表征分析,结果证明形成的碳化硅埋层结晶质量较好,并与硅衬底呈良好的外延关系.
採用離子束閤成法,將p型(100)單晶硅襯底加熱併保持在700℃的條件下分彆進行劑量為8.0×1017cm-2和9.0×1017cm-2的C+註入,隨後在氬氣保護下經1250℃退火5h後形成β-SiC埋層.藉助紅外反射光譜、盧瑟福揹散射能譜以及高分辨透射電鏡等測試手段,對退火前後碳化硅埋層的組分及結構進行瞭錶徵分析,結果證明形成的碳化硅埋層結晶質量較好,併與硅襯底呈良好的外延關繫.
채용리자속합성법,장p형(100)단정규츤저가열병보지재700℃적조건하분별진행제량위8.0×1017cm-2화9.0×1017cm-2적C+주입,수후재아기보호하경1250℃퇴화5h후형성β-SiC매층.차조홍외반사광보、로슬복배산사능보이급고분변투사전경등측시수단,대퇴화전후탄화규매층적조분급결구진행료표정분석,결과증명형성적탄화규매층결정질량교호,병여규츤저정량호적외연관계.
