半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
231-234
,共4页
杨经伟%张万荣%金冬月%邱建军%高攀
楊經偉%張萬榮%金鼕月%邱建軍%高攀
양경위%장만영%금동월%구건군%고반
SiGe HBT%温度特性%微波功率晶体管
SiGe HBT%溫度特性%微波功率晶體管
SiGe HBT%온도특성%미파공솔정체관
通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性,而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应,从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.
通過研究SiGe異質結雙極型晶體管(HBT)的溫度特性,髮現SiGe HBT的髮射結正嚮電壓隨溫度的變化率小于同質結Si雙極型晶體管(BJT).在提高器件或電路熱穩定性時,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的鎮流電阻.同時SiGe HBT共髮射級輸齣特性麯線在高電壓大電流下具有負阻特性,而負阻效應的存在可以有效地抑製器件的熱不穩定性效應,從而在溫度特性方麵證明瞭SiGe HBT更適閤于微波功率器件.
통과연구SiGe이질결쌍겁형정체관(HBT)적온도특성,발현SiGe HBT적발사결정향전압수온도적변화솔소우동질결Si쌍겁형정체관(BJT).재제고기건혹전로열은정성시,SiGe HBT가이사용비Si BJT경소적진류전조.동시SiGe HBT공발사급수출특성곡선재고전압대전류하구유부조특성,이부조효응적존재가이유효지억제기건적열불은정성효응,종이재온도특성방면증명료SiGe HBT경괄합우미파공솔기건.
