微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
7期
456-459
,共4页
GaAs%KU波段%单片放大器%PHEMT%脉冲
GaAs%KU波段%單片放大器%PHEMT%脈遲
GaAs%KU파단%단편방대기%PHEMT%맥충
基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器.简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相应的仿真软件设计了两款Ku波段单片功率放大器.经过精准测试,两款电路呈现的性能如下:在13～14 GHz频带内,其中第一款电路的饱和输出功率P.>38 dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>20 dB,典型功率附加效率PAE＞28%;第二款电路的饱和输出功率P.>40 dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>19 dB,典型功率附加效率PAE>28%.结果表明,基于PHEMT的GaAs单片功率放大器在Ku波段可以实现优良的性能.
基于GaAs PHEMT在微波領域的卓越性能,設計併實現瞭兩款Ku波段GaAs單片功率放大器.簡述瞭GaAs PHEMT器件的工作原理,併抽取瞭精準的EEHEMT模型,通過獨特的設計方法併結閤相應的倣真軟件設計瞭兩款Ku波段單片功率放大器.經過精準測試,兩款電路呈現的性能如下:在13～14 GHz頻帶內,其中第一款電路的飽和輸齣功率P.>38 dBm(脈寬100μs,佔空比10%),功率增益GP>20 dB,典型功率附加效率PAE＞28%;第二款電路的飽和輸齣功率P.>40 dBm(脈寬100μs,佔空比10%),功率增益GP>19 dB,典型功率附加效率PAE>28%.結果錶明,基于PHEMT的GaAs單片功率放大器在Ku波段可以實現優良的性能.
기우GaAs PHEMT재미파영역적탁월성능,설계병실현료량관Ku파단GaAs단편공솔방대기.간술료GaAs PHEMT기건적공작원리,병추취료정준적EEHEMT모형,통과독특적설계방법병결합상응적방진연건설계료량관Ku파단단편공솔방대기.경과정준측시,량관전로정현적성능여하:재13～14 GHz빈대내,기중제일관전로적포화수출공솔P.>38 dBm(맥관100μs,점공비10%),공솔증익GP>20 dB,전형공솔부가효솔PAE＞28%;제이관전로적포화수출공솔P.>40 dBm(맥관100μs,점공비10%),공솔증익GP>19 dB,전형공솔부가효솔PAE>28%.결과표명,기우PHEMT적GaAs단편공솔방대기재Ku파단가이실현우량적성능.
