低温与超导
低溫與超導
저온여초도
CRYOGENICS AND SUPERCONDUCTIVITY
2010年
11期
1-4
,共4页
杨晓燕%尤立星%张礼杰%黄少铭%Mintu Mondal%Sanjeev Kumar%John Jesudasan%Pratap Raychaudhuri
楊曉燕%尤立星%張禮傑%黃少銘%Mintu Mondal%Sanjeev Kumar%John Jesudasan%Pratap Raychaudhuri
양효연%우립성%장례걸%황소명%Mintu Mondal%Sanjeev Kumar%John Jesudasan%Pratap Raychaudhuri
超导纳米线单光子探测器%电子束曝光%反应离子刻蚀%探测效率
超導納米線單光子探測器%電子束曝光%反應離子刻蝕%探測效率
초도납미선단광자탐측기%전자속폭광%반응리자각식%탐측효솔
超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件.文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件.器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm.超导纳米线是利用电子束曝光(EBL)技术和反应离子刻蚀(RIE)等工艺技术制备的.所制备的SNSPD样品,在温度3.5K下的临界电流约12.9μA;在1310nm波长光波辐照,12.5μA的偏置电流下,探测效率约0.016%.
超導納米線單光子探測器件(SNSPD)是超導單光子探測繫統的覈心器件.文中介紹瞭成功製備的基于5nm厚的NbN超導超薄薄膜的SNSPD器件.器件覈心結構為150nm寬的納米麯摺線結構,納米線條佔空比為75%,麵積為20μm×20μm.超導納米線是利用電子束曝光(EBL)技術和反應離子刻蝕(RIE)等工藝技術製備的.所製備的SNSPD樣品,在溫度3.5K下的臨界電流約12.9μA;在1310nm波長光波輻照,12.5μA的偏置電流下,探測效率約0.016%.
초도납미선단광자탐측기건(SNSPD)시초도단광자탐측계통적핵심기건.문중개소료성공제비적기우5nm후적NbN초도초박박막적SNSPD기건.기건핵심결구위150nm관적납미곡절선결구,납미선조점공비위75%,면적위20μm×20μm.초도납미선시이용전자속폭광(EBL)기술화반응리자각식(RIE)등공예기술제비적.소제비적SNSPD양품,재온도3.5K하적림계전류약12.9μA;재1310nm파장광파복조,12.5μA적편치전류하,탐측효솔약0.016%.
