电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
5期
26-30
,共5页
高兆芬%李辉%徐甲强%曾宇平
高兆芬%李輝%徐甲彊%曾宇平
고조분%리휘%서갑강%증우평
薄膜%电导%气敏%二氧化锡%灵敏度
薄膜%電導%氣敏%二氧化錫%靈敏度
박막%전도%기민%이양화석%령민도
分别在氧气和氩气气氛下,于纯SnO<,2>气敏薄膜上溅射金属Pd制备了Pd掺杂SnO<,2>,气敏薄膜.利用XPS分析了溅射气氛和老化处理对该气敏薄膜表面元素含量变化的影响.结果表明:溅射气氛和老化处理对气敏薄膜的表面吸附氧含量和其他元素的含量均有很大影响,如氩气气氛下制备的Pd/SnO<,2>气敏薄膜在老化前与400℃/2h老化后的表面吸附氧原子的摩尔比为11.632 9:4.341 6.Pd掺杂SnO<,2>气敏元件的灵敏度比未掺杂的元件灵敏度提高数十倍.最后对气敏元件的敏感机理进行了探讨.
分彆在氧氣和氬氣氣氛下,于純SnO<,2>氣敏薄膜上濺射金屬Pd製備瞭Pd摻雜SnO<,2>,氣敏薄膜.利用XPS分析瞭濺射氣氛和老化處理對該氣敏薄膜錶麵元素含量變化的影響.結果錶明:濺射氣氛和老化處理對氣敏薄膜的錶麵吸附氧含量和其他元素的含量均有很大影響,如氬氣氣氛下製備的Pd/SnO<,2>氣敏薄膜在老化前與400℃/2h老化後的錶麵吸附氧原子的摩爾比為11.632 9:4.341 6.Pd摻雜SnO<,2>氣敏元件的靈敏度比未摻雜的元件靈敏度提高數十倍.最後對氣敏元件的敏感機理進行瞭探討.
분별재양기화아기기분하,우순SnO<,2>기민박막상천사금속Pd제비료Pd참잡SnO<,2>,기민박막.이용XPS분석료천사기분화노화처리대해기민박막표면원소함량변화적영향.결과표명:천사기분화노화처리대기민박막적표면흡부양함량화기타원소적함량균유흔대영향,여아기기분하제비적Pd/SnO<,2>기민박막재노화전여400℃/2h노화후적표면흡부양원자적마이비위11.632 9:4.341 6.Pd참잡SnO<,2>기민원건적령민도비미참잡적원건령민도제고수십배.최후대기민원건적민감궤리진행료탐토.
