固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
4期
393-397
,共5页
张有涛%李晓鹏%张敏%刘奡%钱峰%陈辰
張有濤%李曉鵬%張敏%劉奡%錢峰%陳辰
장유도%리효붕%장민%류오%전봉%진신
模数转换器(ADC)%失调校准%折叠内插
模數轉換器(ADC)%失調校準%摺疊內插
모수전환기(ADC)%실조교준%절첩내삽
基于0.18 μm CMOS工艺设计并实现了一种8 bit 1.4 GS/s ADC.芯片采用多级级联折叠内插结构降低集成度,片内实现了电阻失调平均和数字辅助失调校准.测试结果表明,ADC在1.4GHz采样率下,有效位达6.4bit,功耗小于480 mW.文章所提的综合校准方法能够有效提高ADC的静态和动态性能,显示出其在超高速ADC中的必要性.
基于0.18 μm CMOS工藝設計併實現瞭一種8 bit 1.4 GS/s ADC.芯片採用多級級聯摺疊內插結構降低集成度,片內實現瞭電阻失調平均和數字輔助失調校準.測試結果錶明,ADC在1.4GHz採樣率下,有效位達6.4bit,功耗小于480 mW.文章所提的綜閤校準方法能夠有效提高ADC的靜態和動態性能,顯示齣其在超高速ADC中的必要性.
기우0.18 μm CMOS공예설계병실현료일충8 bit 1.4 GS/s ADC.심편채용다급급련절첩내삽결구강저집성도,편내실현료전조실조평균화수자보조실조교준.측시결과표명,ADC재1.4GHz채양솔하,유효위체6.4bit,공모소우480 mW.문장소제적종합교준방법능구유효제고ADC적정태화동태성능,현시출기재초고속ADC중적필요성.
