北京化工大学学报（自然科学版）
北京化工大學學報（自然科學版）
북경화공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF CHEMICAL TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2012年
4期
117-121
,共5页
4H-SiC%肖特基二极管%击穿电压%V-I特性
4H-SiC%肖特基二極管%擊穿電壓%V-I特性
4H-SiC%초특기이겁관%격천전압%V-I특성
设计了斜面结构碳化硅肖特基二极管(4H-SiC SBD)并且在器件中加入场环结构,通过基于半导体物理理论的计算机辅助设计软件( Silvaco-TCAD)分析计算了常规结构和新结构SiC -SBD器件的V-I特性、击穿电压、温度热学分布.对比计算结果,可知新结构SiC-SBD器件击穿电压提高至2300V,导通电阻减小,温度热学分布明显优于常规结构SiC-SBD器件.
設計瞭斜麵結構碳化硅肖特基二極管(4H-SiC SBD)併且在器件中加入場環結構,通過基于半導體物理理論的計算機輔助設計軟件( Silvaco-TCAD)分析計算瞭常規結構和新結構SiC -SBD器件的V-I特性、擊穿電壓、溫度熱學分佈.對比計算結果,可知新結構SiC-SBD器件擊穿電壓提高至2300V,導通電阻減小,溫度熱學分佈明顯優于常規結構SiC-SBD器件.
설계료사면결구탄화규초특기이겁관(4H-SiC SBD)병차재기건중가입장배결구,통과기우반도체물리이론적계산궤보조설계연건( Silvaco-TCAD)분석계산료상규결구화신결구SiC -SBD기건적V-I특성、격천전압、온도열학분포.대비계산결과,가지신결구SiC-SBD기건격천전압제고지2300V,도통전조감소,온도열학분포명현우우상규결구SiC-SBD기건.
