ZnO薄膜p型转变的难点及解决新方法
ZnO박막p형전변적난점급해결신방법
Origin of p-type Doping Difficulty in ZnO And Its New Solution
  • 万方数据
    材料导报 재료도보
    MATERIALS REVIEW
    2004年 1期 69-71,79 ,共4页

    曾昱嘉%叶志镇%袁国栋%黄靖云%赵炳辉%朱丽萍

    증욱가%협지진%원국동%황정운%조병휘%주려평

    p-ZnO H钝化 共掺 缓冲层 p-ZnO H鈍化 共摻 緩遲層
    p-ZnO H둔화 공참 완충층
    论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al+N+H共掺杂生长p-ZnO薄膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性能.
    논술료ZnO박막p형전변적난점급기해결방법적최신연구진전,병토론료Al+N+H공참잡생장p-ZnO박막적참잡궤제,제출다층완충층생장공예이실현p-ZnO박막적가공참잡,진이우화박막성능.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문