材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2011年
18期
70-72,77
,共4页
王立娟%周炳卿%那日苏%金志欣
王立娟%週炳卿%那日囌%金誌訢
왕립연%주병경%나일소%금지흔
单晶硅%表面形貌%织构%醋酸钠
單晶硅%錶麵形貌%織構%醋痠鈉
단정규%표면형모%직구%작산납
对晶向为(100)的p型单晶硅片进行表面刻蚀,制作减反射绒面.选用了一种新型的腐蚀剂,即醋酸钠(CH3COONa)溶液,用来腐蚀单晶硅太阳电池.通过分别改变醋酸钠溶液的浓度、温度以及腐蚀时间对硅片表面进行腐蚀发现,经醋酸钠溶液腐蚀后在硅片表面形成腐蚀坑大小适中、分布均匀的绒面结构.在醋酸钠溶液的质量分数为20％、温度为95℃、时间为40min的条件下腐蚀单晶硅片,在波长为700～1000nm之间获得较低的平均表面反射率,且最佳平均反射率为12.14％.从实验结果和成本因素考虑,这种腐蚀剂的成本很低,不易污染环境且重复性好,有利于大规模工业化制绒.
對晶嚮為(100)的p型單晶硅片進行錶麵刻蝕,製作減反射絨麵.選用瞭一種新型的腐蝕劑,即醋痠鈉(CH3COONa)溶液,用來腐蝕單晶硅太暘電池.通過分彆改變醋痠鈉溶液的濃度、溫度以及腐蝕時間對硅片錶麵進行腐蝕髮現,經醋痠鈉溶液腐蝕後在硅片錶麵形成腐蝕坑大小適中、分佈均勻的絨麵結構.在醋痠鈉溶液的質量分數為20％、溫度為95℃、時間為40min的條件下腐蝕單晶硅片,在波長為700～1000nm之間穫得較低的平均錶麵反射率,且最佳平均反射率為12.14％.從實驗結果和成本因素攷慮,這種腐蝕劑的成本很低,不易汙染環境且重複性好,有利于大規模工業化製絨.
대정향위(100)적p형단정규편진행표면각식,제작감반사융면.선용료일충신형적부식제,즉작산납(CH3COONa)용액,용래부식단정규태양전지.통과분별개변작산납용액적농도、온도이급부식시간대규편표면진행부식발현,경작산납용액부식후재규편표면형성부식갱대소괄중、분포균균적융면결구.재작산납용액적질량분수위20％、온도위95℃、시간위40min적조건하부식단정규편,재파장위700～1000nm지간획득교저적평균표면반사솔,차최가평균반사솔위12.14％.종실험결과화성본인소고필,저충부식제적성본흔저,불역오염배경차중복성호,유리우대규모공업화제융.
