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ELECTRONICS QUALITY
2011年
5期
15-17
,共3页
等离子体化学气相沉淀%偏置电压%二氧化钛薄膜%光学特性
等離子體化學氣相沉澱%偏置電壓%二氧化鈦薄膜%光學特性
등리자체화학기상침정%편치전압%이양화태박막%광학특성
该文采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了TiO<,2>薄膜样品,并通过椭圆偏振仪、红外光谱仪和扫描电子显微镜测量了薄膜厚度、组织结构和光学特性.结果表明:沉积速率随偏置电压升高而增大,在偏置电乐为10V时,沉积速率达到最大值为3.9nm/min,然后沉积速率下降,偏置电压在20V以后,沉积速率基本不变为3.0nm/min.薄膜密度随偏置电压的提高不断上升并在20V时达到最大值4.3g/cm<'3>,随后密度稍有下降.伴随偏置电压的升高,薄膜的折射系数n持续升高,但消光系数变化较少.未加偏置电压时,薄膜样品的结构为锐钛矿结构,偏置电压大于10V时,薄膜为金红石结构.此外,随着偏置电压的增大,薄膜晶粒尺寸下降.
該文採用射頻等離子體增彊化學氣相沉積法製備瞭TiO<,2>薄膜樣品,併通過橢圓偏振儀、紅外光譜儀和掃描電子顯微鏡測量瞭薄膜厚度、組織結構和光學特性.結果錶明:沉積速率隨偏置電壓升高而增大,在偏置電樂為10V時,沉積速率達到最大值為3.9nm/min,然後沉積速率下降,偏置電壓在20V以後,沉積速率基本不變為3.0nm/min.薄膜密度隨偏置電壓的提高不斷上升併在20V時達到最大值4.3g/cm<'3>,隨後密度稍有下降.伴隨偏置電壓的升高,薄膜的摺射繫數n持續升高,但消光繫數變化較少.未加偏置電壓時,薄膜樣品的結構為銳鈦礦結構,偏置電壓大于10V時,薄膜為金紅石結構.此外,隨著偏置電壓的增大,薄膜晶粒呎吋下降.
해문채용사빈등리자체증강화학기상침적법제비료TiO<,2>박막양품,병통과타원편진의、홍외광보의화소묘전자현미경측량료박막후도、조직결구화광학특성.결과표명:침적속솔수편치전압승고이증대,재편치전악위10V시,침적속솔체도최대치위3.9nm/min,연후침적속솔하강,편치전압재20V이후,침적속솔기본불변위3.0nm/min.박막밀도수편치전압적제고불단상승병재20V시체도최대치4.3g/cm<'3>,수후밀도초유하강.반수편치전압적승고,박막적절사계수n지속승고,단소광계수변화교소.미가편치전압시,박막양품적결구위예태광결구,편치전압대우10V시,박막위금홍석결구.차외,수착편치전압적증대,박막정립척촌하강.
