硅酸盐通报
硅痠鹽通報
규산염통보
BULLETIN OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY
2010年
5期
1221-1225
,共5页
田欣伟%邓丽荣%陆树河%王晓刚%于庆芬
田訢偉%鄧麗榮%陸樹河%王曉剛%于慶芬
전흔위%산려영%륙수하%왕효강%우경분
β-SiC微粉%杂质碳%氧化特性
β-SiC微粉%雜質碳%氧化特性
β-SiC미분%잡질탄%양화특성
借助激光粒度仪、综合热分析仪、X射线衍射仪和化学分析手段,研究了无限微热源法合成的β-SiC微粉中杂质碳的粒度组成和氧化特性,以及主成分β-SiC的氧化特性,得到了空气氧化法去除β-SiC微粉中杂质碳的最佳工艺条件为:氧化温度800～900 ℃,氧化持续时间为1 h.
藉助激光粒度儀、綜閤熱分析儀、X射線衍射儀和化學分析手段,研究瞭無限微熱源法閤成的β-SiC微粉中雜質碳的粒度組成和氧化特性,以及主成分β-SiC的氧化特性,得到瞭空氣氧化法去除β-SiC微粉中雜質碳的最佳工藝條件為:氧化溫度800～900 ℃,氧化持續時間為1 h.
차조격광립도의、종합열분석의、X사선연사의화화학분석수단,연구료무한미열원법합성적β-SiC미분중잡질탄적립도조성화양화특성,이급주성분β-SiC적양화특성,득도료공기양화법거제β-SiC미분중잡질탄적최가공예조건위:양화온도800～900 ℃,양화지속시간위1 h.
