材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2010年
18期
5-7,14
,共4页
肖清泉%谢泉%余志强%赵珂杰
肖清泉%謝泉%餘誌彊%趙珂傑
초청천%사천%여지강%조가걸
Mg2Si薄膜%择优生长%磁控溅射%退火
Mg2Si薄膜%擇優生長%磁控濺射%退火
Mg2Si박막%택우생장%자공천사%퇴화
采用磁控溅射技术和退火工艺制备出Mg2Si半导体薄膜,研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响.首先在Si(111)衬底上溅射沉积380nm Mg膜,然后在退火炉内氩气氛围500℃退火,退火时间分别为3.5h、4.5h、5.0h、5.5h、6.0h.采用X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和形貌进行了表征.结果表明,采用磁控溅射方法成功地制备了环境友好的半导体Mg2Si薄膜.Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性,最强衍射峰出现在40.12°位置;随着退火时间的延长,Mg2Si外延薄膜的衍射峰强度先逐渐增强后逐渐减弱,退火5h后,样品的衍射峰最强.Mg2Si晶粒随着退火时间的延长,先逐渐增大,退火5h后逐渐减小.
採用磁控濺射技術和退火工藝製備齣Mg2Si半導體薄膜,研究瞭退火時間對Mg2Si薄膜的形成和結構的影響.首先在Si(111)襯底上濺射沉積380nm Mg膜,然後在退火爐內氬氣氛圍500℃退火,退火時間分彆為3.5h、4.5h、5.0h、5.5h、6.0h.採用X射線衍射和掃描電鏡對薄膜的結構和形貌進行瞭錶徵.結果錶明,採用磁控濺射方法成功地製備瞭環境友好的半導體Mg2Si薄膜.Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的擇優生長特性,最彊衍射峰齣現在40.12°位置;隨著退火時間的延長,Mg2Si外延薄膜的衍射峰彊度先逐漸增彊後逐漸減弱,退火5h後,樣品的衍射峰最彊.Mg2Si晶粒隨著退火時間的延長,先逐漸增大,退火5h後逐漸減小.
채용자공천사기술화퇴화공예제비출Mg2Si반도체박막,연구료퇴화시간대Mg2Si박막적형성화결구적영향.수선재Si(111)츤저상천사침적380nm Mg막,연후재퇴화로내아기분위500℃퇴화,퇴화시간분별위3.5h、4.5h、5.0h、5.5h、6.0h.채용X사선연사화소묘전경대박막적결구화형모진행료표정.결과표명,채용자공천사방법성공지제비료배경우호적반도체Mg2Si박막.Mg2Si박막구유Mg2Si(220)적택우생장특성,최강연사봉출현재40.12°위치;수착퇴화시간적연장,Mg2Si외연박막적연사봉강도선축점증강후축점감약,퇴화5h후,양품적연사봉최강.Mg2Si정립수착퇴화시간적연장,선축점증대,퇴화5h후축점감소.
