半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
7期
703-705,731
,共4页
辛娟娟%韦旎妮%刘抒%黄红伟%叶景良
辛娟娟%韋旎妮%劉抒%黃紅偉%葉景良
신연연%위니니%류서%황홍위%협경량
失效定位%测试结构%光发射显微镜%聚焦等离子束
失效定位%測試結構%光髮射顯微鏡%聚焦等離子束
실효정위%측시결구%광발사현미경%취초등리자속
在半导体器件的失效分析中,缺陷定位是必不可少的重要环节.光发射显微镜(PEM)是IC失效定位中最有效的工具之一.PEM利用了IC器件缺陷在一定条件下的发光现象,迅速定位缺陷.而聚焦等离子束(FIB)的定点切割和沉积技术在亚微米级半导体工艺失效分析中扮演着越来越重要的作用.介绍了一种联合使用FIB和PEM进行亚微米级缺陷定位的新方法,使得一些单独使用PEM无法完成缺陷定位的案例得以成功解决.
在半導體器件的失效分析中,缺陷定位是必不可少的重要環節.光髮射顯微鏡(PEM)是IC失效定位中最有效的工具之一.PEM利用瞭IC器件缺陷在一定條件下的髮光現象,迅速定位缺陷.而聚焦等離子束(FIB)的定點切割和沉積技術在亞微米級半導體工藝失效分析中扮縯著越來越重要的作用.介紹瞭一種聯閤使用FIB和PEM進行亞微米級缺陷定位的新方法,使得一些單獨使用PEM無法完成缺陷定位的案例得以成功解決.
재반도체기건적실효분석중,결함정위시필불가소적중요배절.광발사현미경(PEM)시IC실효정위중최유효적공구지일.PEM이용료IC기건결함재일정조건하적발광현상,신속정위결함.이취초등리자속(FIB)적정점절할화침적기술재아미미급반도체공예실효분석중분연착월래월중요적작용.개소료일충연합사용FIB화PEM진행아미미급결함정위적신방법,사득일사단독사용PEM무법완성결함정위적안례득이성공해결.
