高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2007年
12期
2364-2368
,共5页
池玉娟%付宏刚%史克英%齐乐辉%张恒彬%于海涛
池玉娟%付宏剛%史剋英%齊樂輝%張恆彬%于海濤
지옥연%부굉강%사극영%제악휘%장항빈%우해도
电沉积%硫化镉%复合薄膜%光电性能
電沉積%硫化鎘%複閤薄膜%光電性能
전침적%류화력%복합박막%광전성능
采用阴极恒电位沉积方法,在TiO2表面沉积制备出CdS纳米粒子.XRD和SEM测试结果表明,CdS粒子的结构以六方晶相为主,粒径分布均匀,表面形貌呈菜花状.通过调节沉积电位和沉积时间等因素在一定程度上可以控制CdS纳米粒子的生长.随着沉积电位变负,CdS粒子的粒径逐渐减小.沉积时间越短,粒子粒径越小.紫外-可见吸收光谱测试结果表明,不同条件下制备出来的CdS粒子表现出一定的量子尺寸效应.此外,沉积条件也会影响ITO/TiO2/CdS复合半导体薄膜的光电性能.
採用陰極恆電位沉積方法,在TiO2錶麵沉積製備齣CdS納米粒子.XRD和SEM測試結果錶明,CdS粒子的結構以六方晶相為主,粒徑分佈均勻,錶麵形貌呈菜花狀.通過調節沉積電位和沉積時間等因素在一定程度上可以控製CdS納米粒子的生長.隨著沉積電位變負,CdS粒子的粒徑逐漸減小.沉積時間越短,粒子粒徑越小.紫外-可見吸收光譜測試結果錶明,不同條件下製備齣來的CdS粒子錶現齣一定的量子呎吋效應.此外,沉積條件也會影響ITO/TiO2/CdS複閤半導體薄膜的光電性能.
채용음겁항전위침적방법,재TiO2표면침적제비출CdS납미입자.XRD화SEM측시결과표명,CdS입자적결구이륙방정상위주,립경분포균균,표면형모정채화상.통과조절침적전위화침적시간등인소재일정정도상가이공제CdS납미입자적생장.수착침적전위변부,CdS입자적립경축점감소.침적시간월단,입자립경월소.자외-가견흡수광보측시결과표명,불동조건하제비출래적CdS입자표현출일정적양자척촌효응.차외,침적조건야회영향ITO/TiO2/CdS복합반도체박막적광전성능.
