半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
293-295
,共3页
王东%张景文%韩峰%张新安%毕臻%边旭明%侯洵
王東%張景文%韓峰%張新安%畢臻%邊旭明%侯洵
왕동%장경문%한봉%장신안%필진%변욱명%후순
激光分子束外延%ZnO%退火%光致发光%激子
激光分子束外延%ZnO%退火%光緻髮光%激子
격광분자속외연%ZnO%퇴화%광치발광%격자
采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,在空气中对生长的薄膜进行900℃退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性采用X射线衍射(XRD)、变温光致发光(PL)研究.退火处理后的ZnO薄膜(0002)面XRDθ-2θ扫描曲线强度明显增强.在光致发光实验中,观测到薄膜分别在3.352,3.309和3.237eV附近有3个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射、中性施主或受主束缚激子I9及其声子伴线1Lo.随着温度升高,峰位逐渐向长波方向移动(即所谓"红移"),半高宽(FWHM)逐渐展宽;在发光谱中,来自于晶体缺陷的深能级(DL)区发光强度极小.
採用激光分子束外延法在藍寶石襯底(0001)上生長瞭高度c軸擇優取嚮的高質量ZnO薄膜,在空氣中對生長的薄膜進行900℃退火處理,併對退火前後樣品的結晶質量、髮光特性採用X射線衍射(XRD)、變溫光緻髮光(PL)研究.退火處理後的ZnO薄膜(0002)麵XRDθ-2θ掃描麯線彊度明顯增彊.在光緻髮光實驗中,觀測到薄膜分彆在3.352,3.309和3.237eV附近有3箇明顯的近紫外髮光峰,分彆對應自由激子髮射、中性施主或受主束縳激子I9及其聲子伴線1Lo.隨著溫度升高,峰位逐漸嚮長波方嚮移動(即所謂"紅移"),半高寬(FWHM)逐漸展寬;在髮光譜中,來自于晶體缺陷的深能級(DL)區髮光彊度極小.
채용격광분자속외연법재람보석츤저(0001)상생장료고도c축택우취향적고질량ZnO박막,재공기중대생장적박막진행900℃퇴화처리,병대퇴화전후양품적결정질량、발광특성채용X사선연사(XRD)、변온광치발광(PL)연구.퇴화처리후적ZnO박막(0002)면XRDθ-2θ소묘곡선강도명현증강.재광치발광실험중,관측도박막분별재3.352,3.309화3.237eV부근유3개명현적근자외발광봉,분별대응자유격자발사、중성시주혹수주속박격자I9급기성자반선1Lo.수착온도승고,봉위축점향장파방향이동(즉소위"홍이"),반고관(FWHM)축점전관;재발광보중,래자우정체결함적심능급(DL)구발광강도겁소.
