垂直电极结构GaN基发光二极管的研制
수직전겁결구GaN기발광이겁관적연제
Vertical Electrode Structure GaN Based Light Emitting Diodes
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2007年 z1期 482-485 ,共4页

    康香宁%包魁%陈志忠%徐科%章蓓%于彤军%聂瑞娟%张国义

    강향저%포괴%진지충%서과%장배%우동군%섭서연%장국의

    GaN%LED%激光剥离%金属合金键合%垂直电极 GaN%LED%激光剝離%金屬閤金鍵閤%垂直電極
    GaN%LED%격광박리%금속합금건합%수직전겁
    利用激光剥离技术(LLO)和晶片键合技术将GaN基发光二极管(LED)薄膜与蓝宝石衬底分离并转移到Si衬底上,高分辨X射线衍射(HRXRD)和阴极荧光谱(CL)结果表明激光剥离过程没有影响GaN量子阱的结构和光学性质,GaN和InGaN/GaN多量子阱的发光峰都呈现红移,这都来源于去除蓝宝石后薄膜中应力的释放.采用金属In和Pd的合金化键合过程解决了GaN材料与Si衬底的结合问题,结合逐个芯片剥离和键合的方式实现了GaN大面积均匀转移.成功研制了激光剥离垂直电极结构的GaN基LED,L-I测试特性表明器件的热饱和电流和出光功率都有很大的提高.
    이용격광박리기술(LLO)화정편건합기술장GaN기발광이겁관(LED)박막여람보석츤저분리병전이도Si츤저상,고분변X사선연사(HRXRD)화음겁형광보(CL)결과표명격광박리과정몰유영향GaN양자정적결구화광학성질,GaN화InGaN/GaN다양자정적발광봉도정현홍이,저도래원우거제람보석후박막중응력적석방.채용금속In화Pd적합금화건합과정해결료GaN재료여Si츤저적결합문제,결합축개심편박리화건합적방식실현료GaN대면적균균전이.성공연제료격광박리수직전겁결구적GaN기LED,L-I측시특성표명기건적열포화전류화출광공솔도유흔대적제고.
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