红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2007年
5期
336-339,348
,共5页
陈永平%刘强%施永明%唐成伟%梁平治
陳永平%劉彊%施永明%唐成偉%樑平治
진영평%류강%시영명%당성위%량평치
非致冷焦平面%氧化钒%低应力氮化硅%微桥
非緻冷焦平麵%氧化釩%低應力氮化硅%微橋
비치랭초평면%양화범%저응력담화규%미교
采用氧化钒薄膜、低应力介质膜和CMOS读出电路技术,研制了单片式128×1非致冷焦平面.氧化钒薄膜的制备采用了一种新的方法,焦平面的信号读出采用了CTIA积分方式.应用一种双频PECVD技术制备了低应力氮化硅薄膜,有效改善了微桥的平整度.通过氮化硅和氧化钒薄膜自身的红外吸收,焦平面在8～14μm波段的平均响应率达到8.2 ×104V/W,平均D·达到2.3×108 cmHz1/2/w.焦平面的均匀性需要进一步改善.
採用氧化釩薄膜、低應力介質膜和CMOS讀齣電路技術,研製瞭單片式128×1非緻冷焦平麵.氧化釩薄膜的製備採用瞭一種新的方法,焦平麵的信號讀齣採用瞭CTIA積分方式.應用一種雙頻PECVD技術製備瞭低應力氮化硅薄膜,有效改善瞭微橋的平整度.通過氮化硅和氧化釩薄膜自身的紅外吸收,焦平麵在8～14μm波段的平均響應率達到8.2 ×104V/W,平均D·達到2.3×108 cmHz1/2/w.焦平麵的均勻性需要進一步改善.
채용양화범박막、저응력개질막화CMOS독출전로기술,연제료단편식128×1비치랭초평면.양화범박막적제비채용료일충신적방법,초평면적신호독출채용료CTIA적분방식.응용일충쌍빈PECVD기술제비료저응력담화규박막,유효개선료미교적평정도.통과담화규화양화범박막자신적홍외흡수,초평면재8～14μm파단적평균향응솔체도8.2 ×104V/W,평균D·체도2.3×108 cmHz1/2/w.초평면적균균성수요진일보개선.
