半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
6期
887-892
,共6页
ZnO:Dy%光致发光%固相反应法
ZnO:Dy%光緻髮光%固相反應法
ZnO:Dy%광치발광%고상반응법
通过固相反应法制备了ZnO:Dy3+纳米粉末,样品的X射线衍射、透射电镜和选区电子衍射证实了ZnO:Dy3+纳米粉末属于六方纤锌矿多晶结构.研究了光致发光谱与激发波长和掺杂离子浓度的依赖关系.结果表明,从ZnO:Dy3+纳米粉末的光致发光光谱中首次发现除了Dy3+的4f→4f跃迁外,出现了Dy掺入ZnO后产生的两个缺陷A和B的宽谱带发射峰,峰值分别在600和760nm,半高宽分别约为200和100nm.在ZnO的激子激发下(385nm),峰值760nm的发光强度远远大于峰值在600nm的发光强度.样品的发射光谱中峰值的相对强度变化依赖于激发波长和Dy3+的掺杂浓度.当在Dy3+4f→4f激发下(454nm),光谱中只有Dy3+的4f态间的特征发射,而缺陷A,B不发光.
通過固相反應法製備瞭ZnO:Dy3+納米粉末,樣品的X射線衍射、透射電鏡和選區電子衍射證實瞭ZnO:Dy3+納米粉末屬于六方纖鋅礦多晶結構.研究瞭光緻髮光譜與激髮波長和摻雜離子濃度的依賴關繫.結果錶明,從ZnO:Dy3+納米粉末的光緻髮光光譜中首次髮現除瞭Dy3+的4f→4f躍遷外,齣現瞭Dy摻入ZnO後產生的兩箇缺陷A和B的寬譜帶髮射峰,峰值分彆在600和760nm,半高寬分彆約為200和100nm.在ZnO的激子激髮下(385nm),峰值760nm的髮光彊度遠遠大于峰值在600nm的髮光彊度.樣品的髮射光譜中峰值的相對彊度變化依賴于激髮波長和Dy3+的摻雜濃度.噹在Dy3+4f→4f激髮下(454nm),光譜中隻有Dy3+的4f態間的特徵髮射,而缺陷A,B不髮光.
통과고상반응법제비료ZnO:Dy3+납미분말,양품적X사선연사、투사전경화선구전자연사증실료ZnO:Dy3+납미분말속우륙방섬자광다정결구.연구료광치발광보여격발파장화참잡리자농도적의뢰관계.결과표명,종ZnO:Dy3+납미분말적광치발광광보중수차발현제료Dy3+적4f→4f약천외,출현료Dy참입ZnO후산생적량개결함A화B적관보대발사봉,봉치분별재600화760nm,반고관분별약위200화100nm.재ZnO적격자격발하(385nm),봉치760nm적발광강도원원대우봉치재600nm적발광강도.양품적발사광보중봉치적상대강도변화의뢰우격발파장화Dy3+적참잡농도.당재Dy3+4f→4f격발하(454nm),광보중지유Dy3+적4f태간적특정발사,이결함A,B불발광.
