物理学报
物理學報
물이학보
2006年
4期
2038-2043
,共6页
余云鹏%林璇英%林舜辉%黄锐
餘雲鵬%林璇英%林舜輝%黃銳
여운붕%림선영%림순휘%황예
微晶硅%电导率%薄膜
微晶硅%電導率%薄膜
미정규%전도솔%박막
报道了SiCl4/H2等离子体化学气相沉积方法制备的未掺杂微晶硅薄膜,在短时间光照或加上直流偏压后其室温暗电导随时间缓慢变化的行为.Raman散射谱结果表明,薄膜的晶态体积比大于70%. 暗电阻的实验结果显示: 材料具有弱的持久光电导效应;薄膜的暗电导在外加直流电场的作用下缓慢上升,电场反向后出现暗电导的恢复过程,而且暗电导变化速度与偏压大小和温度有关.根据异质结势垒模型,指出外加条件下载流子的空间分离和重新分布以及材料非均匀性造成的势垒是引起电导缓慢变化的主要原因.
報道瞭SiCl4/H2等離子體化學氣相沉積方法製備的未摻雜微晶硅薄膜,在短時間光照或加上直流偏壓後其室溫暗電導隨時間緩慢變化的行為.Raman散射譜結果錶明,薄膜的晶態體積比大于70%. 暗電阻的實驗結果顯示: 材料具有弱的持久光電導效應;薄膜的暗電導在外加直流電場的作用下緩慢上升,電場反嚮後齣現暗電導的恢複過程,而且暗電導變化速度與偏壓大小和溫度有關.根據異質結勢壘模型,指齣外加條件下載流子的空間分離和重新分佈以及材料非均勻性造成的勢壘是引起電導緩慢變化的主要原因.
보도료SiCl4/H2등리자체화학기상침적방법제비적미참잡미정규박막,재단시간광조혹가상직류편압후기실온암전도수시간완만변화적행위.Raman산사보결과표명,박막적정태체적비대우70%. 암전조적실험결과현시: 재료구유약적지구광전도효응;박막적암전도재외가직류전장적작용하완만상승,전장반향후출현암전도적회복과정,이차암전도변화속도여편압대소화온도유관.근거이질결세루모형,지출외가조건하재류자적공간분리화중신분포이급재료비균균성조성적세루시인기전도완만변화적주요원인.
