电子工业专用设备
電子工業專用設備
전자공업전용설비
EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING
2005年
10期
10-14,23
,共6页
孙聂枫%周晓龙%陈秉克%孙同年
孫聶楓%週曉龍%陳秉剋%孫同年
손섭풍%주효룡%진병극%손동년
液封直拉法%气压控制直拉法%垂直梯度凝固%单晶材料
液封直拉法%氣壓控製直拉法%垂直梯度凝固%單晶材料
액봉직랍법%기압공제직랍법%수직제도응고%단정재료
介绍了制备InP单晶材料的主要方法,包括传统液封直拉技术(LEC)、改进的LEC技术、气压控制直拉技术(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技术(VGF)/垂直布里奇曼技术(VB)等.对这些方法进行了分析和对比,指出各种方法的优势和发展方向.还讨论了大直径InP单晶生长技术的发展和关键因素.
介紹瞭製備InP單晶材料的主要方法,包括傳統液封直拉技術(LEC)、改進的LEC技術、氣壓控製直拉技術(VCZ/PC-LEC)/垂直梯度凝固技術(VGF)/垂直佈裏奇曼技術(VB)等.對這些方法進行瞭分析和對比,指齣各種方法的優勢和髮展方嚮.還討論瞭大直徑InP單晶生長技術的髮展和關鍵因素.
개소료제비InP단정재료적주요방법,포괄전통액봉직랍기술(LEC)、개진적LEC기술、기압공제직랍기술(VCZ/PC-LEC)/수직제도응고기술(VGF)/수직포리기만기술(VB)등.대저사방법진행료분석화대비,지출각충방법적우세화발전방향.환토론료대직경InP단정생장기술적발전화관건인소.
