红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2005年
5期
379-383
,共5页
张鹏举%赵增林%胡赞东%万锐敏%岳全龄%王晓薇%姬荣斌
張鵬舉%趙增林%鬍讚東%萬銳敏%嶽全齡%王曉薇%姬榮斌
장붕거%조증림%호찬동%만예민%악전령%왕효미%희영빈
CdZnTe%退火%Cd沉积相%红外透过率
CdZnTe%退火%Cd沉積相%紅外透過率
CdZnTe%퇴화%Cd침적상%홍외투과솔
在CdZnTe晶体生长时,有时会产生大颗粒的沉积相,严重的影响了CdZnTe晶片的质量,通过电子探针测试证明其为Cd沉积相.采用Cd气氛退火来消除Cd沉积相,可以改善CdZnTe晶片的质量.实验发现:在较高的温度(600℃)条件下,退火可以有效的消除大颗粒(＞5 (m)的Cd沉积相,改善CdZnTe晶片红外透过率、X射线双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)和腐蚀坑密度(EPD).在此条件下对CdZnTe晶片进行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能.
在CdZnTe晶體生長時,有時會產生大顆粒的沉積相,嚴重的影響瞭CdZnTe晶片的質量,通過電子探針測試證明其為Cd沉積相.採用Cd氣氛退火來消除Cd沉積相,可以改善CdZnTe晶片的質量.實驗髮現:在較高的溫度(600℃)條件下,退火可以有效的消除大顆粒(＞5 (m)的Cd沉積相,改善CdZnTe晶片紅外透過率、X射線雙晶迴襬麯線半峰寬(FWHM)和腐蝕坑密度(EPD).在此條件下對CdZnTe晶片進行退火,有助于提高CdZnTe晶片的性能.
재CdZnTe정체생장시,유시회산생대과립적침적상,엄중적영향료CdZnTe정편적질량,통과전자탐침측시증명기위Cd침적상.채용Cd기분퇴화래소제Cd침적상,가이개선CdZnTe정편적질량.실험발현:재교고적온도(600℃)조건하,퇴화가이유효적소제대과립(＞5 (m)적Cd침적상,개선CdZnTe정편홍외투과솔、X사선쌍정회파곡선반봉관(FWHM)화부식갱밀도(EPD).재차조건하대CdZnTe정편진행퇴화,유조우제고CdZnTe정편적성능.
