真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2005年
4期
283-286,289
,共5页
韩菲%李健%吉雅图%高燕
韓菲%李健%吉雅圖%高燕
한비%리건%길아도%고연
真空蒸发%Nd掺杂%纳米%SnO2薄膜
真空蒸髮%Nd摻雜%納米%SnO2薄膜
진공증발%Nd참잡%납미%SnO2박막
对采用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备的稀土Nd掺杂的SnO2薄膜,进行结构、电学及光学特性的测试分析.实验表明:氧化、热处理条件为500 ℃、45 min时样品性能好.采用一步成膜工艺法制备的SnO2薄膜晶粒度较小,随掺Nd浓度的增大,从31.516 nm减小到25.927 nm;两步成膜工艺法制备的SnO2薄膜晶粒度随掺Nd浓度的增大,从45.692 nm增至66.256 nm.XRD分析,掺Nd(5 at%)薄膜沿[110]、[101]晶向的衍射峰加强,薄膜呈多晶结构.掺Nd可使薄膜透光率下降,而薄膜的薄层电阻随热处理温度升高和掺Nd浓度的增大,呈先降后升趋势.
對採用真空氣相沉積法在玻璃襯底上製備的稀土Nd摻雜的SnO2薄膜,進行結構、電學及光學特性的測試分析.實驗錶明:氧化、熱處理條件為500 ℃、45 min時樣品性能好.採用一步成膜工藝法製備的SnO2薄膜晶粒度較小,隨摻Nd濃度的增大,從31.516 nm減小到25.927 nm;兩步成膜工藝法製備的SnO2薄膜晶粒度隨摻Nd濃度的增大,從45.692 nm增至66.256 nm.XRD分析,摻Nd(5 at%)薄膜沿[110]、[101]晶嚮的衍射峰加彊,薄膜呈多晶結構.摻Nd可使薄膜透光率下降,而薄膜的薄層電阻隨熱處理溫度升高和摻Nd濃度的增大,呈先降後升趨勢.
대채용진공기상침적법재파리츤저상제비적희토Nd참잡적SnO2박막,진행결구、전학급광학특성적측시분석.실험표명:양화、열처리조건위500 ℃、45 min시양품성능호.채용일보성막공예법제비적SnO2박막정립도교소,수참Nd농도적증대,종31.516 nm감소도25.927 nm;량보성막공예법제비적SnO2박막정립도수참Nd농도적증대,종45.692 nm증지66.256 nm.XRD분석,참Nd(5 at%)박막연[110]、[101]정향적연사봉가강,박막정다정결구.참Nd가사박막투광솔하강,이박막적박층전조수열처리온도승고화참Nd농도적증대,정선강후승추세.
