现代仪器
現代儀器
현대의기
MODERN INSTRUMENTS
2005年
3期
24-26,30
,共4页
砷化镓%表面%氧化%紫外光%X射线光电子能谱
砷化鎵%錶麵%氧化%紫外光%X射線光電子能譜
신화가%표면%양화%자외광%X사선광전자능보
本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度.发现,紫外光激发下,GaAs表面生成氧化膜,同时清除表面污染碳.氧化膜中的镓砷比可以与基体完全保持一致.用此方法获得具有一定的化学稳定性的,适合于器件制备的钝化层.发现紫外光激发的砷化镓表面氧化反应的实质是光催化反应.用"紫外光/臭氧处理法"处理的GaAs晶片,可使器件性能得到改善.
本文用XPS分析紫外光激髮氧化反應後砷化鎵錶麵的化學組成和氧化層厚度.髮現,紫外光激髮下,GaAs錶麵生成氧化膜,同時清除錶麵汙染碳.氧化膜中的鎵砷比可以與基體完全保持一緻.用此方法穫得具有一定的化學穩定性的,適閤于器件製備的鈍化層.髮現紫外光激髮的砷化鎵錶麵氧化反應的實質是光催化反應.用"紫外光/臭氧處理法"處理的GaAs晶片,可使器件性能得到改善.
본문용XPS분석자외광격발양화반응후신화가표면적화학조성화양화층후도.발현,자외광격발하,GaAs표면생성양화막,동시청제표면오염탄.양화막중적가신비가이여기체완전보지일치.용차방법획득구유일정적화학은정성적,괄합우기건제비적둔화층.발현자외광격발적신화가표면양화반응적실질시광최화반응.용"자외광/취양처리법"처리적GaAs정편,가사기건성능득도개선.
