InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响
InGaAs/AlGaAs양자정중양자척촌효응대PL보적영향
Quantum Confinement Effect on PL Spectrum of InGaAs/AlGaAs Multi-quantum Wells
  • 万方数据
    量子电子学报 양자전자학보
    CHINESE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS
    2003年 3期 345-349 ,共5页

    于永芹%黄柏标%尉吉勇%潘教青%周海龙%齐云%陈文澜%秦晓燕%张晓阳%任忠祥

    우영근%황백표%위길용%반교청%주해룡%제운%진문란%진효연%장효양%임충상

    InGaAs/AlGaAs量子阱%MOCVD%量子尺寸效应%应变效应 InGaAs/AlGaAs量子阱%MOCVD%量子呎吋效應%應變效應
    InGaAs/AlGaAs양자정%MOCVD%양자척촌효응%응변효응
    本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3 nm和6 nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843 nm和942 nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因.
    본문채용금속유궤물화학기상정적(MOCVD)방법설계병생장료량조InGaAs/AlGaAs응변다양자정,양자정적후도분별위3 nm화6 nm,대기광치발광보(PL)진행료연구,이자적발광파장분별위843 nm화942 nm,용유한심단양자정이론근사계산료유우양자척촌효응화응변효응인기적InGaAs/AlGaAs양자정대극적개변,저해석료량조양품실온하PL발사파장변화적원인.
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