半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2001年
1期
34-36
,共3页
高频%高功率%Mo栅工艺%VDMOSFET
高頻%高功率%Mo柵工藝%VDMOSFET
고빈%고공솔%Mo책공예%VDMOSFET
采用Mo栅工艺技术和n沟道增强型VDMOS结构，研制出了在95~105MHz ,脉宽PW=50ms,占空比DF=5% 的条件下，输出功率PO≥600W，共源结构输出功率达600 W的高性能VDMOSFET。
採用Mo柵工藝技術和n溝道增彊型VDMOS結構，研製齣瞭在95~105MHz ,脈寬PW=50ms,佔空比DF=5% 的條件下，輸齣功率PO≥600W，共源結構輸齣功率達600 W的高性能VDMOSFET。
채용Mo책공예기술화n구도증강형VDMOS결구，연제출료재95~105MHz ,맥관PW=50ms,점공비DF=5% 적조건하，수출공솔PO≥600W，공원결구수출공솔체600 W적고성능VDMOSFET。
