西安交通大学学报
西安交通大學學報
서안교통대학학보
JOURNAL OF XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY
2000年
6期
44-48
,共5页
硅%场致发射%电子输运%碰撞电离
硅%場緻髮射%電子輸運%踫撞電離
규%장치발사%전자수운%팽당전리
用数值方法求解漂移-扩散模型下半导体基本方程组以及耦合的场致发射方程,对硅的场致发射特性进行数值模拟,模型中包含以往输运方程模型中未考虑的碰撞电离现象.模拟结果表明,当发射电流较大时,硅场致发射主要受体内电子向发射表面输运过程的限制,碰撞电离现象对输运过程有显著地影响.该模型有助于更全面地了解硅场致发射阴极内部的物理状态.
用數值方法求解漂移-擴散模型下半導體基本方程組以及耦閤的場緻髮射方程,對硅的場緻髮射特性進行數值模擬,模型中包含以往輸運方程模型中未攷慮的踫撞電離現象.模擬結果錶明,噹髮射電流較大時,硅場緻髮射主要受體內電子嚮髮射錶麵輸運過程的限製,踫撞電離現象對輸運過程有顯著地影響.該模型有助于更全麵地瞭解硅場緻髮射陰極內部的物理狀態.
용수치방법구해표이-확산모형하반도체기본방정조이급우합적장치발사방정,대규적장치발사특성진행수치모의,모형중포함이왕수운방정모형중미고필적팽당전리현상.모의결과표명,당발사전류교대시,규장치발사주요수체내전자향발사표면수운과정적한제,팽당전리현상대수운과정유현저지영향.해모형유조우경전면지료해규장치발사음겁내부적물리상태.
