功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2000年
3期
289-292
,共4页
能带工程%欧姆接触%串联电阻
能帶工程%歐姆接觸%串聯電阻
능대공정%구모접촉%천련전조
对2.5GDFB量子阱激光器p型低阻欧姆接触电极进行了研究,在退火温度400℃,退火时间30s进行快速热退火条件下,对Au-Pt-Ti/InAs/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p+-InGaAs(掺Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP两种结构进行了p型欧姆接触试验研究,并对两者串联电阻进行了比较,其结果前者的串联电阻阻值为后者的1/4.
對2.5GDFB量子阱激光器p型低阻歐姆接觸電極進行瞭研究,在退火溫度400℃,退火時間30s進行快速熱退火條件下,對Au-Pt-Ti/InAs/p+-InGaAs(摻Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP和Au-Pt-Ti/p+-InGaAs(摻Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP兩種結構進行瞭p型歐姆接觸試驗研究,併對兩者串聯電阻進行瞭比較,其結果前者的串聯電阻阻值為後者的1/4.
대2.5GDFB양자정격광기p형저조구모접촉전겁진행료연구,재퇴화온도400℃,퇴화시간30s진행쾌속열퇴화조건하,대Au-Pt-Ti/InAs/p+-InGaAs(참Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP화Au-Pt-Ti/p+-InGaAs(참Zn>1×1019cm-3)/MQW/n-InP량충결구진행료p형구모접촉시험연구,병대량자천련전조진행료비교,기결과전자적천련전조조치위후자적1/4.
