半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2000年
3期
203-205
,共3页
陈武%王勇%王水弟%单一林%Mikko Matikkala
陳武%王勇%王水弟%單一林%Mikko Matikkala
진무%왕용%왕수제%단일림%Mikko Matikkala
光电探测器%紫外光探测器%浅结%紫外光
光電探測器%紫外光探測器%淺結%紫外光
광전탐측기%자외광탐측기%천결%자외광
采用低能离子注入法在Si材料上制作了浅结结构紫外光(UV)探测器,介绍了探测器的结构设计、工艺制作以及主要测量结果.实验证明,这种探测器能够有效地探测波长为200 nm至400 nm的紫外光.
採用低能離子註入法在Si材料上製作瞭淺結結構紫外光(UV)探測器,介紹瞭探測器的結構設計、工藝製作以及主要測量結果.實驗證明,這種探測器能夠有效地探測波長為200 nm至400 nm的紫外光.
채용저능리자주입법재Si재료상제작료천결결구자외광(UV)탐측기,개소료탐측기적결구설계、공예제작이급주요측량결과.실험증명,저충탐측기능구유효지탐측파장위200 nm지400 nm적자외광.
