功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2003年
2期
147-149
,共3页
谢欣云%万青%林青%沈勤我%林成鲁
謝訢雲%萬青%林青%瀋勤我%林成魯
사흔운%만청%림청%침근아%림성로
硅纳米锥%电子束蒸发%场发射
硅納米錐%電子束蒸髮%場髮射
규납미추%전자속증발%장발사
应用超高真空电子束蒸发方法,以铁作为催化剂,在硅和多孔硅衬底上生长纳米 Si锥阵列. 采用原子力显微镜表征生长在不同衬底上纳米硅的形貌特征,测试和比较了不同衬底上纳米硅的 电子场发射性能.实验结果表明用这种方法形成了高度为 10～ 35nm的锥状纳米结构 ,并且这些 纳米硅锥阵列的场发射性能良好.比较生长不同衬底上的纳米锥形貌与场发射性能,发现多孔硅 衬底上更适合生长这种纳米硅锥.
應用超高真空電子束蒸髮方法,以鐵作為催化劑,在硅和多孔硅襯底上生長納米 Si錐陣列. 採用原子力顯微鏡錶徵生長在不同襯底上納米硅的形貌特徵,測試和比較瞭不同襯底上納米硅的 電子場髮射性能.實驗結果錶明用這種方法形成瞭高度為 10～ 35nm的錐狀納米結構 ,併且這些 納米硅錐陣列的場髮射性能良好.比較生長不同襯底上的納米錐形貌與場髮射性能,髮現多孔硅 襯底上更適閤生長這種納米硅錐.
응용초고진공전자속증발방법,이철작위최화제,재규화다공규츤저상생장납미 Si추진렬. 채용원자력현미경표정생장재불동츤저상납미규적형모특정,측시화비교료불동츤저상납미규적 전자장발사성능.실험결과표명용저충방법형성료고도위 10～ 35nm적추상납미결구 ,병차저사 납미규추진렬적장발사성능량호.비교생장불동츤저상적납미추형모여장발사성능,발현다공규 츤저상경괄합생장저충납미규추.
