功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2003年
1期
25-30
,共6页
韦文生%王天民%张春熹%李国华%韩和相%丁琨
韋文生%王天民%張春熹%李國華%韓和相%丁琨
위문생%왕천민%장춘희%리국화%한화상%정곤
nc-Si:H薄膜%掺硼%纳米硅晶粒%择优生长%电场
nc-Si:H薄膜%摻硼%納米硅晶粒%擇優生長%電場
nc-Si:H박막%참붕%납미규정립%택우생장%전장
利用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)生长的系列掺硼氢化纳米硅 (nc- Si:H)薄膜中纳 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,简称 nc- Si)有择优生长的趋势.用 HRTEM、 XRD、 Raman等方 法研究掺硼 nc- Si:H薄膜的微观结构时发现: 掺硼 nc- Si:H薄膜的 XRD只有一个峰, 峰位在 2θ≈ 47o,晶面指数为( 220),属于金刚石结构.用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析掺 硼 nc- Si:H薄膜择优生长的原因是:适当的电场作用引起序参量改变,导致薄膜在适当的自由能 范围内 nc- Si的晶面择优生长.随着掺硼浓度的增加, nc- Si:H薄膜的晶态率降低并逐步非晶化. nc- Si随硅烷的稀释比增加而长大,但晶态率降低. nc- Si随衬底温度升高而长大,晶态率提高. nc- Si随射频功率密度的增大而长大,晶态率增大的趋势平缓.但未发现掺硼浓度、稀释比、衬底 温度、射频功率密度的变化引起薄膜中 nc- Si晶面的择优生长.
利用等離子體增彊化學氣相沉積 (PECVD)生長的繫列摻硼氫化納米硅 (nc- Si:H)薄膜中納 米硅晶粒( nanocrystalline silicon,簡稱 nc- Si)有擇優生長的趨勢.用 HRTEM、 XRD、 Raman等方 法研究摻硼 nc- Si:H薄膜的微觀結構時髮現: 摻硼 nc- Si:H薄膜的 XRD隻有一箇峰, 峰位在 2θ≈ 47o,晶麵指數為( 220),屬于金剛石結構.用自由能密度與序參量的關繫結閤實驗參數分析摻 硼 nc- Si:H薄膜擇優生長的原因是:適噹的電場作用引起序參量改變,導緻薄膜在適噹的自由能 範圍內 nc- Si的晶麵擇優生長.隨著摻硼濃度的增加, nc- Si:H薄膜的晶態率降低併逐步非晶化. nc- Si隨硅烷的稀釋比增加而長大,但晶態率降低. nc- Si隨襯底溫度升高而長大,晶態率提高. nc- Si隨射頻功率密度的增大而長大,晶態率增大的趨勢平緩.但未髮現摻硼濃度、稀釋比、襯底 溫度、射頻功率密度的變化引起薄膜中 nc- Si晶麵的擇優生長.
이용등리자체증강화학기상침적 (PECVD)생장적계렬참붕경화납미규 (nc- Si:H)박막중납 미규정립( nanocrystalline silicon,간칭 nc- Si)유택우생장적추세.용 HRTEM、 XRD、 Raman등방 법연구참붕 nc- Si:H박막적미관결구시발현: 참붕 nc- Si:H박막적 XRD지유일개봉, 봉위재 2θ≈ 47o,정면지수위( 220),속우금강석결구.용자유능밀도여서삼량적관계결합실험삼수분석참 붕 nc- Si:H박막택우생장적원인시:괄당적전장작용인기서삼량개변,도치박막재괄당적자유능 범위내 nc- Si적정면택우생장.수착참붕농도적증가, nc- Si:H박막적정태솔강저병축보비정화. nc- Si수규완적희석비증가이장대,단정태솔강저. nc- Si수츤저온도승고이장대,정태솔제고. nc- Si수사빈공솔밀도적증대이장대,정태솔증대적추세평완.단미발현참붕농도、희석비、츤저 온도、사빈공솔밀도적변화인기박막중 nc- Si정면적택우생장.
