科学通报
科學通報
과학통보
CHINESE SCIENCE BULLETIN
2002年
8期
580-583
,共4页
邱勇%胡远川%董桂芳%王立铎%高裕弟
邱勇%鬍遠川%董桂芳%王立鐸%高裕弟
구용%호원천%동계방%왕립탁%고유제
有机薄膜晶体管%铜酞菁%聚四氟乙烯
有機薄膜晶體管%銅酞菁%聚四氟乙烯
유궤박막정체관%동태정%취사불을희
采用聚四氟乙烯充当绝缘材料, 利用全蒸镀法制备得到了有机薄膜场效应晶体管. 源极和漏极采用氧化铟锡, 半导体层和绝缘层分别由铜酞菁和聚四氟乙烯充当, 栅极采用银电极. 在利用光刻制备沟道长度为50 μm的源极和漏极后, 依次真空沉积铜酞菁层、聚四氟乙烯层和银层, 得到器件的电子迁移率为1.1×10-6 cm2@(V@s)-1, 开关电流比大于500.
採用聚四氟乙烯充噹絕緣材料, 利用全蒸鍍法製備得到瞭有機薄膜場效應晶體管. 源極和漏極採用氧化銦錫, 半導體層和絕緣層分彆由銅酞菁和聚四氟乙烯充噹, 柵極採用銀電極. 在利用光刻製備溝道長度為50 μm的源極和漏極後, 依次真空沉積銅酞菁層、聚四氟乙烯層和銀層, 得到器件的電子遷移率為1.1×10-6 cm2@(V@s)-1, 開關電流比大于500.
채용취사불을희충당절연재료, 이용전증도법제비득도료유궤박막장효응정체관. 원겁화루겁채용양화인석, 반도체층화절연층분별유동태정화취사불을희충당, 책겁채용은전겁. 재이용광각제비구도장도위50 μm적원겁화루겁후, 의차진공침적동태정층、취사불을희층화은층, 득도기건적전자천이솔위1.1×10-6 cm2@(V@s)-1, 개관전류비대우500.
