电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2002年
7期
5-7
,共3页
掺锑二氧化锡%光电特性%射频磁控溅射
摻銻二氧化錫%光電特性%射頻磁控濺射
참제이양화석%광전특성%사빈자공천사
用射频磁控溅射法在聚酰亚胺衬底上制备出了相对透过率为80%左右、最小电阻率为3.7′10-3 W@cm、附着良好的SnO2∶Sb透明导电膜. 靶材中Sb2O3的最佳掺杂量为6%(质量分数),最佳溅射压强为1 Pa(90%Ar+10%O2).制备的样品为多晶薄膜,并且保持了二氧化锡的金红石结构,具有明显的[110]的趋向.并讨论了薄膜的结构和光电特性随衬底温度的变化.
用射頻磁控濺射法在聚酰亞胺襯底上製備齣瞭相對透過率為80%左右、最小電阻率為3.7′10-3 W@cm、附著良好的SnO2∶Sb透明導電膜. 靶材中Sb2O3的最佳摻雜量為6%(質量分數),最佳濺射壓彊為1 Pa(90%Ar+10%O2).製備的樣品為多晶薄膜,併且保持瞭二氧化錫的金紅石結構,具有明顯的[110]的趨嚮.併討論瞭薄膜的結構和光電特性隨襯底溫度的變化.
용사빈자공천사법재취선아알츤저상제비출료상대투과솔위80%좌우、최소전조솔위3.7′10-3 W@cm、부착량호적SnO2∶Sb투명도전막. 파재중Sb2O3적최가참잡량위6%(질량분수),최가천사압강위1 Pa(90%Ar+10%O2).제비적양품위다정박막,병차보지료이양화석적금홍석결구,구유명현적[110]적추향.병토론료박막적결구화광전특성수츤저온도적변화.
