山东大学学报(理学版)
山東大學學報(理學版)
산동대학학보(이학판)
JOURNAL OF SHANDONG UNIVERSITY
2002年
3期
233-235
,共3页
王卿璞%张德恒%薛忠营%程兴奎
王卿璞%張德恆%薛忠營%程興奎
왕경박%장덕항%설충영%정흥규
等离子体%超晶格材料%光致发光
等離子體%超晶格材料%光緻髮光
등리자체%초정격재료%광치발광
在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中,由于深能级杂质形成的非辐射复合中心的存在,使样品具有较大的暗电流并削弱了该材料的光致发光强度.样品经过氢等离子体处理后,其光电性质明显改善.
在利用MOCVD方法製備的調製摻雜GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中,由于深能級雜質形成的非輻射複閤中心的存在,使樣品具有較大的暗電流併削弱瞭該材料的光緻髮光彊度.樣品經過氫等離子體處理後,其光電性質明顯改善.
재이용MOCVD방법제비적조제참잡GaAs/AlGaAs다양자정초정격재료중,유우심능급잡질형성적비복사복합중심적존재,사양품구유교대적암전류병삭약료해재료적광치발광강도.양품경과경등리자체처리후,기광전성질명현개선.
