半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
2期
161-164
,共4页
冯志宏%杨辉%徐大鹏%赵德刚%王海%段俐宏
馮誌宏%楊輝%徐大鵬%趙德剛%王海%段俐宏
풍지굉%양휘%서대붕%조덕강%왕해%단리굉
MOCVD%立方相AlGaN%光致发光%扫描电镜%低值氧化物
MOCVD%立方相AlGaN%光緻髮光%掃描電鏡%低值氧化物
MOCVD%립방상AlGaN%광치발광%소묘전경%저치양화물
利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜.通过光致发光 (PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响.发现相对高的NH3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量.
利用MOCVD生長技術在GaAs(100)襯底上生長瞭高質量的立方相AlGaN薄膜.通過光緻髮光 (PL)、掃描電鏡(SEM)分析瞭不同NH3流量、不同生長溫度對AlGaN外延層的結晶質量和錶麵形貌的影響.髮現相對高的NH3流量和相對高的生長溫度可以提高AlGaN外延層的結晶質量.
이용MOCVD생장기술재GaAs(100)츤저상생장료고질량적립방상AlGaN박막.통과광치발광 (PL)、소묘전경(SEM)분석료불동NH3류량、불동생장온도대AlGaN외연층적결정질량화표면형모적영향.발현상대고적NH3류량화상대고적생장온도가이제고AlGaN외연층적결정질량.
