半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2002年
1期
63-65
,共3页
刘翔%吴长树%张鹏翔%赵德锐%陈庭金%廖仕坤%杨家明
劉翔%吳長樹%張鵬翔%趙德銳%陳庭金%廖仕坤%楊傢明
류상%오장수%장붕상%조덕예%진정금%료사곤%양가명
极性半导体%非极性半导体%反相畴
極性半導體%非極性半導體%反相疇
겁성반도체%비겁성반도체%반상주
极性半导体GaAs在非极性半导体Si表面外延生长,普遍选用(100)面Si材料作衬底,外延时由于Ga,As原子占据不合适的晶格位置,通常导致结构缺陷--反相畴产生,而选用(100)面偏向[011]方向4°或(211)面的Si作衬底,可以有效消除反相畴.
極性半導體GaAs在非極性半導體Si錶麵外延生長,普遍選用(100)麵Si材料作襯底,外延時由于Ga,As原子佔據不閤適的晶格位置,通常導緻結構缺陷--反相疇產生,而選用(100)麵偏嚮[011]方嚮4°或(211)麵的Si作襯底,可以有效消除反相疇.
겁성반도체GaAs재비겁성반도체Si표면외연생장,보편선용(100)면Si재료작츤저,외연시유우Ga,As원자점거불합괄적정격위치,통상도치결구결함--반상주산생,이선용(100)면편향[011]방향4°혹(211)면적Si작츤저,가이유효소제반상주.
