半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
1期
43-48
,共6页
王启元%林兰英%王建华%邓惠芳%谭利文%王俊%蔡田海%郁元桓
王啟元%林蘭英%王建華%鄧惠芳%譚利文%王俊%蔡田海%鬱元桓
왕계원%림란영%왕건화%산혜방%담리문%왕준%채전해%욱원환
中子辐照%退火%辐照缺陷
中子輻照%退火%輻照缺陷
중자복조%퇴화%복조결함
对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150～650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关.
對NTD氫區鎔單晶硅進行瞭不同溫度下等時退火,採用Hall電學方法測量瞭電阻率、遷移率隨退火溫度的變化規律.利用紅外吸收技術測量瞭單晶硅氫區鎔退火前後及NTD氫區鎔單晶硅不同退火溫度下與氫、輻照缺陷有關的紅外振動吸收峰變化,對輻照缺陷的退火行為進行瞭探討.實驗證實NTD氫區鎔單晶硅在150～650℃範圍內等時退火具有顯著特點:在500℃下退火,齣現電阻率極小值,即齣現濃度很高的過量淺施主;P型嚮N型轉變溫度為400℃,遷移率恢複溫度為500℃,載流子恢複溫度為600℃,均明顯低于NTD氬區鎔單晶硅轉型溫度及遷移率和載流子恢複溫度,這與氫積極參與輻照缺陷相互作用直接相關.
대NTD경구용단정규진행료불동온도하등시퇴화,채용Hall전학방법측량료전조솔、천이솔수퇴화온도적변화규률.이용홍외흡수기술측량료단정규경구용퇴화전후급NTD경구용단정규불동퇴화온도하여경、복조결함유관적홍외진동흡수봉변화,대복조결함적퇴화행위진행료탐토.실험증실NTD경구용단정규재150～650℃범위내등시퇴화구유현저특점:재500℃하퇴화,출현전조솔겁소치,즉출현농도흔고적과량천시주;P형향N형전변온도위400℃,천이솔회복온도위500℃,재류자회복온도위600℃,균명현저우NTD아구용단정규전형온도급천이솔화재류자회복온도,저여경적겁삼여복조결함상호작용직접상관.
