核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2005年
3期
213-216
,共4页
黄文韬%王吉林%刘志农%陈长春%陈培毅%钱佩信%孟祥提
黃文韜%王吉林%劉誌農%陳長春%陳培毅%錢珮信%孟祥提
황문도%왕길림%류지농%진장춘%진배의%전패신%맹상제
电子辐照%SiGe异质结晶体管(HBT)%Si双极晶体管(BJT)%电学特性
電子輻照%SiGe異質結晶體管(HBT)%Si雙極晶體管(BJT)%電學特性
전자복조%SiGe이질결정체관(HBT)%Si쌍겁정체관(BJT)%전학특성
研究了1 MeV不同剂量电子辐照前后SiGe异质结晶体管(HBT)的直流特性,并与Si双极晶体管(BJT)进行了比较.结果表明辐照后SiGe HBT的IB基本不变,IC和β都下降;随电子辐照剂量的增加,IC和β都减小.对Si BJT而言,IB和IC与在相同辐照剂量辐照后的SiGe HBT相比都增大很多,β下降幅度也很大.这说明SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗辐照性能.对电子辐照后器件电学性能的变化机制进行了初步分析.
研究瞭1 MeV不同劑量電子輻照前後SiGe異質結晶體管(HBT)的直流特性,併與Si雙極晶體管(BJT)進行瞭比較.結果錶明輻照後SiGe HBT的IB基本不變,IC和β都下降;隨電子輻照劑量的增加,IC和β都減小.對Si BJT而言,IB和IC與在相同輻照劑量輻照後的SiGe HBT相比都增大很多,β下降幅度也很大.這說明SiGe HBT具有比Si BJT更好的抗輻照性能.對電子輻照後器件電學性能的變化機製進行瞭初步分析.
연구료1 MeV불동제량전자복조전후SiGe이질결정체관(HBT)적직류특성,병여Si쌍겁정체관(BJT)진행료비교.결과표명복조후SiGe HBT적IB기본불변,IC화β도하강;수전자복조제량적증가,IC화β도감소.대Si BJT이언,IB화IC여재상동복조제량복조후적SiGe HBT상비도증대흔다,β하강폭도야흔대.저설명SiGe HBT구유비Si BJT경호적항복조성능.대전자복조후기건전학성능적변화궤제진행료초보분석.
