CAJ | 학술논문

利用化学沉积技术制备了NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极,研究了NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极作为安培型L-半胱氨酸传感器的电化学行为.NiHCF修饰电极在不同扫速的循环伏安行为表明在-0.1～+0.7 V电位窗内,半波电位(E1/2)为+0.393 V的可逆氧化还原波为[FeⅢ(CN)6]3-/[FeⅡ(CN)6]4电对;在扫速小于100 mV/s时,阳极峰电流与扫速成很好的线性关系;当扫速大于120 mV/s时,阳极峰电流却与扫速平方根成正比,电极反应被扩散过程所控制;NiHCF修饰电极催化L-半胱氨酸结果表明NiHCF的引入明显降低了催化氧化电位;实验结果表明L-半胱氨酸在1×10～2×10-2mol/L内,电流响应性与浓度成很好的线性关系,电极的检测限为2.6×10-6mol/L.NiHCF/石墨粉/MTMOS复合修饰电极制备方法简单,电极稳定性高,表面可以更新,为三维复合电极在电催化中的应用和研究提供了新的方法.
이용화학침적기술제비료NiHCF/석묵분/MTMOS복합수식전겁,연구료NiHCF/석묵분/MTMOS복합수식전겁작위안배형L-반광안산전감기적전화학행위.NiHCF수식전겁재불동소속적순배복안행위표명재-0.1～+0.7 V전위창내,반파전위(E1/2)위+0.393 V적가역양화환원파위[FeⅢ(CN)6]3-/[FeⅡ(CN)6]4전대;재소속소우100 mV/s시,양겁봉전류여소속성흔호적선성관계;당소속대우120 mV/s시,양겁봉전류각여소속평방근성정비,전겁반응피확산과정소공제;NiHCF수식전겁최화L-반광안산결과표명NiHCF적인입명현강저료최화양화전위;실험결과표명L-반광안산재1×10～2×10-2mol/L내,전류향응성여농도성흔호적선성관계,전겁적검측한위2.6×10-6mol/L.NiHCF/석묵분/MTMOS복합수식전겁제비방법간단,전겁은정성고,표면가이경신,위삼유복합전겁재전최화중적응용화연구제공료신적방법.