人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2006年
5期
1141-1145,1150
,共6页
门海泉%周灵平%刘新胜%李德意%李绍禄%肖汉宁
門海泉%週靈平%劉新勝%李德意%李紹祿%肖漢寧
문해천%주령평%류신성%리덕의%리소록%초한저
AlN薄膜%共沉积%生长速率%磁控溅射%择优取向
AlN薄膜%共沉積%生長速率%磁控濺射%擇優取嚮
AlN박막%공침적%생장속솔%자공천사%택우취향
采用直流双靶磁控溅射聚焦共沉积技术在Fe衬底上高速率生长AlN薄膜,结果表明,双靶共沉积技术有效地提高了AlN薄膜生长速率,相同工作气压或低N2浓度时双靶磁控溅射沉积速率约为单靶沉积速率的2倍;随着溅射系统内工作气压或N2浓度的升高,薄膜生长速率不断减小;薄膜择优取向与薄膜生长速率相互影响,随着工作气压的升高,(100)晶面的择优生长减缓了薄膜生长速率的降低,随着N2浓度的升高,(002)晶面的择优生长加剧了薄膜生长速率的降低,而相对较低的溅射沉积速率有利于(002)晶面择优取向生长.
採用直流雙靶磁控濺射聚焦共沉積技術在Fe襯底上高速率生長AlN薄膜,結果錶明,雙靶共沉積技術有效地提高瞭AlN薄膜生長速率,相同工作氣壓或低N2濃度時雙靶磁控濺射沉積速率約為單靶沉積速率的2倍;隨著濺射繫統內工作氣壓或N2濃度的升高,薄膜生長速率不斷減小;薄膜擇優取嚮與薄膜生長速率相互影響,隨著工作氣壓的升高,(100)晶麵的擇優生長減緩瞭薄膜生長速率的降低,隨著N2濃度的升高,(002)晶麵的擇優生長加劇瞭薄膜生長速率的降低,而相對較低的濺射沉積速率有利于(002)晶麵擇優取嚮生長.
채용직류쌍파자공천사취초공침적기술재Fe츤저상고속솔생장AlN박막,결과표명,쌍파공침적기술유효지제고료AlN박막생장속솔,상동공작기압혹저N2농도시쌍파자공천사침적속솔약위단파침적속솔적2배;수착천사계통내공작기압혹N2농도적승고,박막생장속솔불단감소;박막택우취향여박막생장속솔상호영향,수착공작기압적승고,(100)정면적택우생장감완료박막생장속솔적강저,수착N2농도적승고,(002)정면적택우생장가극료박막생장속솔적강저,이상대교저적천사침적속솔유리우(002)정면택우취향생장.
