武汉大学学报（理学版）
武漢大學學報（理學版）
무한대학학보（이학판）
JOURNAL OF WUHAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2008年
3期
309-312
,共4页
孟宪权%程定军%胡明%张霞
孟憲權%程定軍%鬍明%張霞
맹헌권%정정군%호명%장하
量子点%光致发光%透射电子显微镜%浸润层
量子點%光緻髮光%透射電子顯微鏡%浸潤層
양자점%광치발광%투사전자현미경%침윤층
采用分子束外延技术生长InAs/AlAs/GaAs量子点,用透射电镜观察量子点的截面形貌,用光致发光光谱仪测试量子点的发光光谱.透射电子显微镜及光致发光光谱结果表明,量子点底部观察不到InAs浸润层,室温下样品的光致发光峰值波长达1.49 μm,为研制光纤通讯中的半导体量子点激光器提供了实验依据.
採用分子束外延技術生長InAs/AlAs/GaAs量子點,用透射電鏡觀察量子點的截麵形貌,用光緻髮光光譜儀測試量子點的髮光光譜.透射電子顯微鏡及光緻髮光光譜結果錶明,量子點底部觀察不到InAs浸潤層,室溫下樣品的光緻髮光峰值波長達1.49 μm,為研製光纖通訊中的半導體量子點激光器提供瞭實驗依據.
채용분자속외연기술생장InAs/AlAs/GaAs양자점,용투사전경관찰양자점적절면형모,용광치발광광보의측시양자점적발광광보.투사전자현미경급광치발광광보결과표명,양자점저부관찰불도InAs침윤층,실온하양품적광치발광봉치파장체1.49 μm,위연제광섬통신중적반도체양자점격광기제공료실험의거.
