Si基SiC微通道及其制备工艺
Si기SiC미통도급기제비공예
Preparation of SiC Microfluidic Channels on Silicon Substrate
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2008年 8期 458-461 ,共4页

    王亮%孙国胜%刘兴昉%赵永梅%宁瑾%王雷%赵万顺%曾一平%李晋闽

    왕량%손국성%류흥방%조영매%저근%왕뢰%조만순%증일평%리진민

    微流体%微通道%碳化硅%化学气相沉积%模板%单体 微流體%微通道%碳化硅%化學氣相沉積%模闆%單體
    미류체%미통도%탄화규%화학기상침적%모판%단체
    提出了一种用于MEMS的硅基SiC微通道(阵列)及其制备方法,它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相淀积方法制备SiC.在Si(100)衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构,凹槽之间留出台面,凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)及其分布方式根据需要而定,此凹槽微结构用作制备SiC微通道的模板;用化学气相淀积方法在模板上制备一厚层SiC材料,此层SiC不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面,还在凹槽顶部形成封闭结构,这样就在衬底上形成了以凹槽为模板的SiC微通道(阵列).对淀积速率与微通道质量之间的关系进行初步分析,发现单纯地提高淀积速率不利于获得高质量的微通道.
    제출료일충용우MEMS적규기SiC미통도(진렬)급기제비방법,타섭급반도체공예가공규정편화화학기상정적방법제비SiC.재Si(100)츤저상용반도체공예각식출요조미결구,요조지간류출태면,요조화태면적궤하척촌(심도、관도、장도)급기분포방식근거수요이정,차요조미결구용작제비SiC미통도적모판;용화학기상정적방법재모판상제비일후층SiC재료,차층SiC불부완전복개츤저표면적미결구포괄요조화태면,환재요조정부형성봉폐결구,저양취재츤저상형성료이요조위모판적SiC미통도(진렬).대정적속솔여미통도질량지간적관계진행초보분석,발현단순지제고정적속솔불리우획득고질량적미통도.
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