高性能SiC整流二极管研究
고성능SiC정류이겁관연구
Investigation of High Performance SiC Diodes
  • 万方数据
    微纳电子技术 미납전자기술
    MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
    2010年 7期 394-396,408 ,共4页

    杨霏%商庆杰%李亚丽%闫锐%默江辉%潘宏菽%李佳%刘波%冯志红%付兴昌%何庆国%蔡树军%杨克武

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    碳化硅%击穿电压%合并p-i-n肖特基%肖特基接触%欧姆接触%场板 碳化硅%擊穿電壓%閤併p-i-n肖特基%肖特基接觸%歐姆接觸%場闆
    탄화규%격천전압%합병p-i-n초특기%초특기접촉%구모접촉%장판
    在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管.通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性P型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射TiW/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应.该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压.反向击穿电压可以达到1300 V,开启电压约为0.7 V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93 eV,正向电压3.0 V时,电流密度可以达到700 A/cm2.
    재n형4H-SiC단정도전츤저상제비료구유MPS(merged p-i-n Schottky diode)결구화JTE(junction termination extension)결구적초특기세루이겁관.통과고온리자주입급상응적퇴화공예,진행료구역성P형참잡,형성료고진공전자속증발Ni/Pt/Au복합금속제비초특기접촉,츤저천사TiW/Au병합금주구모접촉,채용장판화JTE기술감소고압전장집변효응.해기건구유량호적정향정류특성화교고적반향격천전압.반향격천전압가이체도1300 V,개계전압약위0.7 V,이상인자위1.15,초특기세루고도위0.93 eV,정향전압3.0 V시,전류밀도가이체도700 A/cm2.
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