半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
9期
664-667
,共4页
李伟娟%周建伟%刘玉岭%何彦刚%刘效岩%甘小伟
李偉娟%週建偉%劉玉嶺%何彥剛%劉效巖%甘小偉
리위연%주건위%류옥령%하언강%류효암%감소위
黏度%去除速率%磨料%化学机械抛光%表面状态
黏度%去除速率%磨料%化學機械拋光%錶麵狀態
점도%거제속솔%마료%화학궤계포광%표면상태
抛光磨料在抛光衬底和抛光垫间做磨削运动,它是CMP工艺的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化能力的重要影响因素.因此分析磨料的各物性参数对CMP过程的影响尤为重要.随着晶圆表面加工尺寸的进一步精密化,磨料黏度作为抛光磨料重要物性参数之一,受到越来越多的重视.根据实验结果从微观角度研究了磨料黏度对CMP抛光速率的影响及机理,并由此得出当抛光波磨料黏度为1.5 mPa·s时,抛光速率可达到458 nm/min且抛光表面粗糙度为0.353 nm的良好表面状态.
拋光磨料在拋光襯底和拋光墊間做磨削運動,它是CMP工藝的重要組成部分,是決定拋光速率和平坦化能力的重要影響因素.因此分析磨料的各物性參數對CMP過程的影響尤為重要.隨著晶圓錶麵加工呎吋的進一步精密化,磨料黏度作為拋光磨料重要物性參數之一,受到越來越多的重視.根據實驗結果從微觀角度研究瞭磨料黏度對CMP拋光速率的影響及機理,併由此得齣噹拋光波磨料黏度為1.5 mPa·s時,拋光速率可達到458 nm/min且拋光錶麵粗糙度為0.353 nm的良好錶麵狀態.
포광마료재포광츤저화포광점간주마삭운동,타시CMP공예적중요조성부분,시결정포광속솔화평탄화능력적중요영향인소.인차분석마료적각물성삼수대CMP과정적영향우위중요.수착정원표면가공척촌적진일보정밀화,마료점도작위포광마료중요물성삼수지일,수도월래월다적중시.근거실험결과종미관각도연구료마료점도대CMP포광속솔적영향급궤리,병유차득출당포광파마료점도위1.5 mPa·s시,포광속솔가체도458 nm/min차포광표면조조도위0.353 nm적량호표면상태.
