原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2012年
2期
223-228
,共6页
噻吩-噁二唑%共轭分子%半导体材料%光电性质%密度泛函理论
噻吩-噁二唑%共軛分子%半導體材料%光電性質%密度汎函理論
새분-오이서%공액분자%반도체재료%광전성질%밀도범함이론
使用密度泛函理论在DFT//B3LYP/6-31+G’水平对V型噻吩-噁二唑类7个衍生物分子的电离能,电子亲和势,重组能,吸收光谱进行理论计算.结果表明,7个分子具有较好的平面共轭结构,较高的电子亲和势.从重组能角度看,这些化合物都是较好的电子传输材料.
使用密度汎函理論在DFT//B3LYP/6-31+G’水平對V型噻吩-噁二唑類7箇衍生物分子的電離能,電子親和勢,重組能,吸收光譜進行理論計算.結果錶明,7箇分子具有較好的平麵共軛結構,較高的電子親和勢.從重組能角度看,這些化閤物都是較好的電子傳輸材料.
사용밀도범함이론재DFT//B3LYP/6-31+G’수평대V형새분-오이서류7개연생물분자적전리능,전자친화세,중조능,흡수광보진행이론계산.결과표명,7개분자구유교호적평면공액결구,교고적전자친화세.종중조능각도간,저사화합물도시교호적전자전수재료.
