仪表技术与传感器
儀錶技術與傳感器
의표기술여전감기
INSTRUMENT TECHNIQUE AND SENSOR
2012年
5期
15-16
,共2页
李新%刘野%刘沁%孙承松
李新%劉野%劉沁%孫承鬆
리신%류야%류심%손승송
硅微压传感器%岛-膜结构%SOI晶圆
硅微壓傳感器%島-膜結構%SOI晶圓
규미압전감기%도-막결구%SOI정원
为解决硅微压传感器制作过程中存在的问题,以SOI晶圆材料为基础,使用有限元方法优化设计岛-膜型1kPa压力敏感结构,采用MEMS工艺完成传感器芯片制作,并对封装后的传感器进行了测试.测试结果表明,传感器输出灵敏度大于60 mV/kPa,非线性小于0.1％FS,精度小于0.5％FS,器件具有较好的性能指标.
為解決硅微壓傳感器製作過程中存在的問題,以SOI晶圓材料為基礎,使用有限元方法優化設計島-膜型1kPa壓力敏感結構,採用MEMS工藝完成傳感器芯片製作,併對封裝後的傳感器進行瞭測試.測試結果錶明,傳感器輸齣靈敏度大于60 mV/kPa,非線性小于0.1％FS,精度小于0.5％FS,器件具有較好的性能指標.
위해결규미압전감기제작과정중존재적문제,이SOI정원재료위기출,사용유한원방법우화설계도-막형1kPa압력민감결구,채용MEMS공예완성전감기심편제작,병대봉장후적전감기진행료측시.측시결과표명,전감기수출령민도대우60 mV/kPa,비선성소우0.1％FS,정도소우0.5％FS,기건구유교호적성능지표.
