常压MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3薄膜及其性能
상압MOCVD생장ZnO/GaN/Al2O3박막급기성능
ZnO Thin Films Grown on GaN/Al2O3 Templates by Atmospheric Pressure MOCVD
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2005年 6期 772-776 ,共5页

    戴江南%王立%方文卿%蒲勇%莫春兰%熊传兵%郑畅达%刘卫华%江风益

    대강남%왕립%방문경%포용%막춘란%웅전병%정창체%류위화%강풍익

    金属有机化学气相沉积%GaN/Al2O3%原子力显微镜%X射线双晶衍射%光致发光 金屬有機化學氣相沉積%GaN/Al2O3%原子力顯微鏡%X射線雙晶衍射%光緻髮光
    금속유궤화학기상침적%GaN/Al2O3%원자력현미경%X사선쌍정연사%광치발광
    以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680 ℃时,利用常压MOCVD在GaN/Al2O3模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力显微镜(AFM)、X射线双晶衍射(DCXRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜的表面形貌、结晶学性质、光学性质作了综合研究.双晶衍射表明,ZnO非对称(101-2)面ω扫描的半峰全宽(FWHM)仅为420 arcsec,估算所生长ZnO膜的位错密度大约为108 /cm2量级,这与具有器件质量的GaN材料的位错密度相当 .在ZnO薄膜的低温15 K光荧光谱中,观察到很强的自由激子和束缚激子发射以及自由激子与束缚激子的多级声子伴线.
    이거리자수(H2O)화이을기자(DEZn)위원재료,생장온도시680 ℃시,이용상압MOCVD재GaN/Al2O3모판상성공생장료ZnO단정박막,용원자력현미경(AFM)、X사선쌍정연사(DCXRD)、광치발광보(PL)대ZnO박막적표면형모、결정학성질、광학성질작료종합연구.쌍정연사표명,ZnO비대칭(101-2)면ω소묘적반봉전관(FWHM)부위420 arcsec,고산소생장ZnO막적위착밀도대약위108 /cm2량급,저여구유기건질량적GaN재료적위착밀도상당 .재ZnO박막적저온15 K광형광보중,관찰도흔강적자유격자화속박격자발사이급자유격자여속박격자적다급성자반선.
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