半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
7期
1418-1423
,共6页
丁敬峰%王志功%杨守军%王贵%朱恩%熊明珍
丁敬峰%王誌功%楊守軍%王貴%硃恩%熊明珍
정경봉%왕지공%양수군%왕귀%주은%웅명진
分频器%锁存器%GaAs%共面波导
分頻器%鎖存器%GaAs%共麵波導
분빈기%쇄존기%GaAs%공면파도
描述了一种能运用于未来光传输系统SONET OC-768的超高速1∶4静态分频器,其工作频率超过27GHz.该电路采用栅长为0.2μm,截止频率约为60GHz的砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺制作,采用共面波导作为电感实现了宽带阻抗匹配.通过采用推拉式有源跟随器,在没有增加功耗的情况下拓宽了频带.单端输入和差分信号输出的方式,为实际应用提供了便利.通过晶圆测试,在单端时钟输入的情况下,芯片的最高工作频率超过27GHz.测试所得到的波形均方根抖动小于820fs.芯片的面积是1.6mm×0.5mm,功耗为440mW.
描述瞭一種能運用于未來光傳輸繫統SONET OC-768的超高速1∶4靜態分頻器,其工作頻率超過27GHz.該電路採用柵長為0.2μm,截止頻率約為60GHz的砷化鎵贗晶高電子遷移率晶體管工藝製作,採用共麵波導作為電感實現瞭寬帶阻抗匹配.通過採用推拉式有源跟隨器,在沒有增加功耗的情況下拓寬瞭頻帶.單耑輸入和差分信號輸齣的方式,為實際應用提供瞭便利.通過晶圓測試,在單耑時鐘輸入的情況下,芯片的最高工作頻率超過27GHz.測試所得到的波形均方根抖動小于820fs.芯片的麵積是1.6mm×0.5mm,功耗為440mW.
묘술료일충능운용우미래광전수계통SONET OC-768적초고속1∶4정태분빈기,기공작빈솔초과27GHz.해전로채용책장위0.2μm,절지빈솔약위60GHz적신화가안정고전자천이솔정체관공예제작,채용공면파도작위전감실현료관대조항필배.통과채용추랍식유원근수기,재몰유증가공모적정황하탁관료빈대.단단수입화차분신호수출적방식,위실제응용제공료편리.통과정원측시,재단단시종수입적정황하,심편적최고공작빈솔초과27GHz.측시소득도적파형균방근두동소우820fs.심편적면적시1.6mm×0.5mm,공모위440mW.
